霍廷格射頻電源維修:維修了一臺(tái)霍廷格的射頻電源,這個(gè)品牌使用還是很普遍的。剛開始客戶只給我們說了故障癥狀就讓我們報(bào)價(jià),做過維修的都知道,只有故障的癥狀是無法準(zhǔn)確判斷出是哪些硬件壞了導(dǎo)致出現(xiàn)這種情況的,因此我們就讓客戶先把設(shè)備寄過來測試,測試后再報(bào)價(jià)。
霍廷格射頻電源故障原因分析如下:
1、電容器
盡管普遍認(rèn)為,電容器技術(shù)每年都在取得很大進(jìn)展。然而,如果壓力過大,或者如果在生產(chǎn)中制造替代品或通過偽造,它們很容易出現(xiàn)故障。 電容器,尤其是電解電容器,會(huì)在許多不同的故障狀態(tài)下出現(xiàn)故障,包括膨脹、泄漏、爆炸、短路、電容下降或電路內(nèi) ESR 增加。有時(shí)過熱會(huì)導(dǎo)致電容器損壞。電解電容器可能會(huì)泄漏化學(xué)物質(zhì),然后會(huì)因腐蝕、侵蝕 PCB 跡線和其他問題而導(dǎo)致進(jìn)一步損壞。為防止出現(xiàn)故障,請(qǐng)使用好的的優(yōu)質(zhì)電容器。
另外,減額。使電容器盡可能保持涼爽并觀察紋波電流以確保它們不會(huì)受到過大的壓力。重要的是要知道電解電容器的存儲(chǔ)時(shí)間在沒有電源供電的情況下只能兩年,而這一點(diǎn)通常會(huì)被忽視。作為電源設(shè)計(jì)人員,我們會(huì)盡可能避免使用電解電容器,但如果我們無法避免使用它們,我們會(huì)得到我們所能找到的好的。
2、電源組件
如果散熱不足,或者如果漏極過壓、漏極過流、柵極過壓或內(nèi)部反并聯(lián)二極管過載,射頻電源開關(guān)元件(或 MOSFETS)在電源運(yùn)行中首當(dāng)其沖,有時(shí)會(huì)導(dǎo)致故障。適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和組件的降額將大大有助于 MOSFET 在應(yīng)用中獲得良好的長時(shí)間。正確的設(shè)計(jì)、對(duì)控制電路的關(guān)注、回路測試和降額可以確保這些組件的正常運(yùn)行和長時(shí)間。
由于散熱或熱管理、氣流等不當(dāng),功率二極管也可能發(fā)生故障。肖特基二極管會(huì)因驅(qū)動(dòng)電感電路中的過電壓而損壞。在過壓期間,它們不像 MOSFET 那樣寬容。此外,整流器中的開關(guān)損耗可能是一個(gè)很大的熱源。當(dāng)開關(guān)時(shí)間隨著溫度的升高而稍微延長時(shí),可能會(huì)出現(xiàn) TRR 尾部,從而導(dǎo)致熱量上升,并且可能會(huì)出現(xiàn)正反饋環(huán)路并損壞部件。在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮這個(gè)潛在問題,以保持低功耗。正確的設(shè)計(jì)、組件選擇和特性以及降額,將創(chuàng)造奇跡。
3、環(huán)境原因
當(dāng)使用進(jìn)入霍廷格射頻電源通風(fēng)口和風(fēng)扇端口的消毒溶液清潔設(shè)備時(shí),有時(shí)會(huì)在醫(yī)療電子設(shè)備中看到因濕氣進(jìn)入而導(dǎo)致的環(huán)境問題(取消風(fēng)扇的另一個(gè)原因)。水分會(huì)腐蝕電子設(shè)備并導(dǎo)致故障。來自用戶環(huán)境的其他故障模式包括遠(yuǎn)高于額定值和許多 IEC 標(biāo)準(zhǔn)的浪涌和瞬變,這通常會(huì)損壞射頻電源前端的半導(dǎo)體組件。
這些環(huán)境問題中的一些可以通過應(yīng)用程序中的設(shè)計(jì)來控制,而另一些則不能。 其他環(huán)境問題是雷擊和其他感應(yīng)電源線浪涌和瞬變。通過仔細(xì)設(shè)計(jì)和測試電源以及添加外部保護(hù)組件,可以大限度地減少這些原因造成的損失。
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