變頻器電壓保護
1、 過電壓保護
產生過電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太高
② 降速時間太短
③ 降速過程中，再生制動的放電單元工作不理想，來不及放電，請增加外接制動電阻和制動單元
④ 請檢查放電回路有沒有發(fā)生故障，實際并不放電;對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、 欠電壓保護
產生欠電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太低
② 電源缺相;
③ 整流橋故障:如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路，整流后的電壓將下降，對于整流器件和晶閘管的損壞，應注意檢查，及時更換。
逆變器件的介紹:
1.SCR和GTO晶閘管
⑴普通晶閘管SCR 曾稱可控硅，它有三個極:陽極，陰極和門極。
SCR的工作特點是，當在門極與陰極間加一個不大的正向電壓(G為+，K為-)時，SCR即導通，負載Rl中就有電流流過。導通后，即使取消門極電壓，SCR仍保持導通狀態(tài)。只有當陽極電路的電壓為0或負值時，SCR才關斷。所以，只需要用一個脈沖信號，就可以控制其導通了，故它常用于可控整流。
作為一種無觸點的半導體開關器件，其允許反復導通和關斷的次數(shù)幾乎是無限的，并且導通的控制也十分方便。這是一般的"通-斷開關"所望塵莫及的，從而使實現(xiàn)異步電動機的變頻調速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的，而SCR在直流電壓下又不能自行關斷，因此，要實現(xiàn)逆變，還必須增加輔助器件和相應的電路來幫助它關斷。所以，盡管當時的變頻調速裝置在個別領域(如風機和泵類負載)已經能夠實用，但未能進入大范圍的普及應用階段。
⑵門極關斷(GTO)晶閘管 SCR在一段時間內，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導體器件。因此，針對SCR的缺點，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關斷能力這一點上，并因此而開發(fā)出了門極關斷晶閘管。
GTO晶閘管的基本結構和SCR類似，它的三個極也是:陽極(A)、陰極(K)和門極(G)。其圖行符號也和SCR相似，只是在門極上加一短線，以示區(qū)別。
GTO晶閘管的基本電路和工作特點是:
①在門極G上加正電壓或正脈沖(開關S和至位置1)GTO晶閘管即導通。其后，即使撤消控制信號(開關回到位置0)，GTO晶閘管仍保持導通。可見，GTO晶閘管的導通過程和SCR的導通過程完全相同。
②如在G、K間加入反向電壓或較強的反向脈沖(開關和至位置2)，可使GTO晶閘管關斷。 用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結果，但其關斷控制較易失敗，故仍較復雜，工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時，大功率管(GTR)迅速發(fā)展了起來，使GTO晶閘管相形見絀。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大，故在大容量變頻器中，仍居主要地位。
逆變器件的介紹:上次我們向大家介紹了普通晶閘管(SCR)和門極關斷晶閘管(GTO)，最重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的，它們起到什么作用!接下來我們講:大功率晶體管(GTR)-大功率晶體管，也叫雙極結型晶體管(BJT)。
1、 變頻器用的GTR一般都是(復合管)模塊，其內部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點，在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。
2、 工作時狀態(tài) 和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài):
⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變 Ic=βIb 式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。
GTR處于放大狀態(tài)時，其耗散功率Pc較大。設Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA(0.2A) 計算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵飽和狀態(tài) Ib增大時，Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當 βIb>Uc/Rc 時，Ic=βIb的關系便不能再維持了，這時，GTR開始進入"飽和"狀態(tài)。而當 Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定，即 Ics≈Uc/Rc 時，GTR便處于深度飽和狀態(tài)(Ics 為飽和電流)。這時，GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。
GTR處于飽和狀態(tài)時的功耗是很小的。上例中，設Uces=2V，則 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesIcs=2*20W=40W
可見，與放大狀態(tài)相比，相差甚遠。
⑶截止狀態(tài) 即關斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結果。
在截止狀態(tài)，GTR只有很微弱的漏電流流過，因此，其功耗是微不足道的。
GTR在逆變電路中是用來作為開關器件的，工作過程中，總是在飽和狀態(tài)間進行交替。所以，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR處于放大狀態(tài)，其功耗將增大達百倍以上。所以，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
3.主要參數(shù)
⑴在截止狀態(tài)時
①擊穿電壓Uceo和Ucex:能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的最小電壓。基極B開路是用 Uceo表示，B、E間接入反向偏壓時用Ucex 表示。在大多數(shù)情況下，這兩個數(shù)據(jù)是相等的。
②漏電流Iceo 和 Icex:截止狀態(tài)下，從C極流向E極的電流。B極開路時為 Iceo，B、E間反偏時為 Icex。
⑵在飽和狀態(tài)時
① 集電極最大電流Icm:GTR飽和導通是的最大允許電流。
② 飽和壓降Uces:當GTR飽和導通時，C、E間的電壓降。
⑶在開關過程中
① 開通時間Ton:從B極通入正向信號電流時起，到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時間。
② 關斷時間Toff:從基極電流撤消時起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的時間
開通時間和關斷時間將直接影響到SPWM調制是的載波頻率。通常，使用GTR做逆變管時的載波頻率底于2KHz。
4.變頻器用GTR的選用
⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
Uceo≥2廠2U 在電源電壓為380V的變頻器中，應有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。
⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來選擇 Icm≥2廠2 In GTR是用電流信號進行驅動的，所需驅動功率較大，故基極驅動系統(tǒng)比較復雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率場效應晶體管(POWER MOSFET) 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點是，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅動功率很小。和GTR相比，其驅動系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點。
但是，功率場效應晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢，故在變頻器中的應用尚不能居主導地位。
2、 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物，是柵極為絕緣柵結構(MOS結構)的晶體管，它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。
工作特點是，控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I。
至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達到250KVA以上。
此外，其工作頻率可達20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動機的電源波形比較平滑，基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時，流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產生的熱量也是非常大的，不能忽視其發(fā)熱所產生的影響
通常，變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量(KW)×55 [W]
在這里, 如果變頻器容量是以恒轉矩負載為準的 (過流能力150% * 60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時發(fā)熱量會更大一些。 電抗器安裝在變頻器側面或測上方比較好。
這時可以用估算: 變頻器容量(KW)×60 [W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產品.
注意: 如果有制動電阻的話，因為制動電阻的散熱量很大， 因此最好安裝位置最好和變頻器隔離開， 如裝在柜子上面或旁邊等。
那么, 怎樣才能降低控制柜內的發(fā)熱量呢?
當變頻器安裝在控制機柜中時，要考慮變頻器發(fā)熱值的問題。
根據(jù)機柜內產生熱量值的增加，要適當?shù)卦黾訖C柜的尺寸。因此，要使控制機柜的尺寸盡量減小，就必須要使機柜中產生的熱量值盡可能地減少。
如果在變頻器安裝時，把變頻器的散熱器部分放到控制機柜的外面，將會使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量，所以對大容量變頻器更加有效。
還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。 注意:變頻器散熱設計中都是以垂直安裝為基礎的，橫著放散熱會變差的!
冷卻風扇
一般功率稍微大一點的變頻器， 都帶有冷卻風扇。同時，也建議在控制柜上出風口安裝冷卻風扇。進風口要加濾網以防止灰塵進入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風扇都是要的，不能誰替代誰。
其他關于散熱的問題
在海拔高于1000m的地方，因為空氣密度降低，因此應加大柜子的冷卻風量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應考慮降容，1000m每-5%。但由于實際上因為設計上變頻器的負載能力和散熱能力一般比實際使用的要大， 所以也要看具體應用。 比方說在1500m的地方，但是周期性負載，如電梯，就不必要降容。
2。 開關頻率:變頻器的發(fā)熱主要來自于IGBT， IGBT的發(fā)熱有集中在開和關的瞬間。 因此開關頻率高時自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關頻率可以擴容， 就是這個道理。
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